赫爾納供應(yīng)美國(guó)POWEREX碳化硅QJD1210SB2

赫爾納供應(yīng)美國(guó)POWEREX碳化硅QJD1210SB2赫爾納供應(yīng)美國(guó)POWEREX碳化硅QJD1210SB2

赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng),美國(guó)總部直接采購(gòu)，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品，為您提供一對(duì)一好的解決方案，貨期穩(wěn)定。

公司簡(jiǎn)介：

POWEREX提供了一個(gè)能源轉(zhuǎn)換解決方案的條件,在空間,航空和其他任務(wù)行業(yè)。我們的擴(kuò)展組合包括整流器,晶閘管,定模塊,IGBts,SIC模塊,組件和閘門(mén)驅(qū)動(dòng)/DC-DC轉(zhuǎn)換器。我們的IGBT產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)。我們是一家在美國(guó)的制造廠注冊(cè)的公司。

POWEREX碳化硅主要產(chǎn)品：

POWEREX碳化硅

POWEREX整流器

POWEREX碳化硅產(chǎn)品型號(hào)：

POWEREX碳化硅QJD1210SB2

POWEREX碳化硅產(chǎn)品特點(diǎn)：

POWEREX碳化硅QJD1260SB1類(lèi)型全碳化硅模塊，電路配置半橋，建議采用設(shè)計(jì)是的，電壓1200V流的540A，連接溫度:175℃，碳化硅芯片，低內(nèi)電感，離散輪式碳化硅肖特基二極管，高速開(kāi)關(guān)，低開(kāi)關(guān)損失，低電容，高功率密度，孤立基板，氮化鋁隔離，每個(gè)模塊有2個(gè)單獨(dú)的開(kāi)關(guān)。

POWEREX碳化硅產(chǎn)品應(yīng)用：

SICMOSFET模塊/混合硅/SICIGBT模塊

POWEREX碳化硅波維克斯繼續(xù)擴(kuò)大我們的產(chǎn)品提供新的電力半導(dǎo)體技術(shù),碳化硅。在需要低損耗、高頻開(kāi)關(guān)和/或高溫環(huán)境的電力應(yīng)用中,碳化硅比傳統(tǒng)的硅基器件具有顯著的優(yōu)勢(shì)。POWEREX碳化硅該產(chǎn)品系列包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的硅(碳化硅)MOSFET模塊和混合硅/硅(硅IGBT/碳化硅)模塊。POWEREX碳化硅這波韋利斯在線培訓(xùn)研討會(huì)提供了碳化硅技術(shù)的概述,包括這一新技術(shù)與傳統(tǒng)硅模塊的比較。此外,還介紹了新的離子體MOSFET和硅/硅離子體混合模塊POWEREX碳化硅大帶隙能量和高場(chǎng)擊穿是碳化硅的兩個(gè)主要特性,已被利用來(lái)一個(gè)新的電力半導(dǎo)體發(fā)電,零反向回收電荷,POWEREX碳化硅降低開(kāi)關(guān)損失和較高溫度操作的機(jī)會(huì)。供應(yīng)商向高性能全碳化硅模塊或高頻率硅IGBT向混合硅/碳化硅模塊的莫塞特茨和肖特基屏障二極管。新的低型式分裂雙包件具有低電感和銅或鋁基板的高熱循環(huán)應(yīng)用。

POWEREX碳化硅SIC混合模塊提供~45%的減少率 與電力損失相比。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類(lèi)和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。硅的對(duì)應(yīng)物,由于較低的開(kāi)關(guān)損耗,較低的VF,并有效減少二極管反向恢復(fù)損失為零。

POWEREX碳化硅全碳化硅模塊提供~70%的折扣 與電力損失相比。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，POWEREX碳化硅例如:以工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁由于MOSFET技術(shù)的開(kāi)關(guān)效率以及二極管損耗的降低,硅的對(duì)應(yīng)物.此外,使用完整的碳化硅模塊會(huì)使模塊尺寸減小60%。